Найдено 593 товара
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/2400 МБайт/с, случайный доступ: 500000/550000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/2400 МБайт/с, случайный доступ: 500000/550000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5049/2765 МБайт/с, случайный доступ: 235861/437216 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5049/2765 МБайт/с, случайный доступ: 235861/437216 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 700000/680000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14700/14000 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14700/14000 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2200000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1500000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1500000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 MBps
256 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1300 MBps
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND
500 ГБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3100/2100 MBps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
512 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1500 МБайт/с, случайный доступ: 300000/420000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 210000/380000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 210000/380000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps