Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 36-48-48-96, напряжение 1.35 В