Оперативная память

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-108, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-96, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В