Оперативная память

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6600 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-76, напряжение 1.4 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM

частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-38-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40-96, напряжение 1.35 В