Процессоры

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.6/1.8 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 4/2.1 ГГц, кэш 160 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

2019 г, Matisse, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, поддержка DDR4, TDP 65W

2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, TDP 125W

2024 г, Granite Ridge (Zen 5), сокет SP5, 16 ядер, 32 потока, частота 4.1/2.6 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 4 нм, поддержка DDR5, TDP 125W, OEM (без коробки, без кулера)

2020 г, Vermeer, AM4, 16 ядер, 32 потока, частота 4.9/3.4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

2021 г, Alder Lake, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.9/3.7 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.8/3.4 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2024 г, Cezanne (Zen 3), сокет AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.6/3.7 ГГц, кэш 4 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, поддержка DDR4, TDP 65W, OEM (без коробки, без кулера)

2020 г, Vermeer, AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.7/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

Cooper Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 4.2/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

SP3, 8 ядер, частота 4.1/3.7 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 16 ядер, 32 потока, частота 4/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм

2022 г, Zen 3, WRX8, 16 ядер, 32 потока, частота 4.5/4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, поддержка DDR4, TDP 280W

Rome, SP3, 32 ядра, частота 3.4/2.9 ГГц, кэш 192 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, 28 потоков, частота 5.4/2.1 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W

2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 24 ядра, 24 потока, частота 5.7/3.7 ГГц, кэш 40 МБ + 36 МБ, техпроцесс 3 нм, TDP 250W

2023 г, Raphael, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5/4.2 ГГц, кэш 8 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм, поддержка DDR5, TDP 120W

Milan, SP3, 32 ядра, частота 4/2.95 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 4.1/2.1 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 225W

Milan, SP3, 16 ядер, частота 4/3.5 ГГц, кэш 512 Кб + 256 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 240W