Оперативная память QUMO

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В

2 ГБ, 1 модуль DDR2 SO-DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В